MMBT3906LT1 - описание и поиск аналогов

 

MMBT3906LT1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT3906LT1
   Маркировка: 2A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT3906LT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3906LT1 - технические параметры

 ..1. Size:1670K  lge
mmbt3906lt1.pdfpdf_icon

MMBT3906LT1

MMBT3906LT1 PNP General Purpose Transistor 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES A SOT-23 Epitaxial planar die construction. Dim Min Max A 2.70 3.10 E Complementary NPN type available B 1.10 1.50 K B C 1.0 Typical (MMBT3904). D 0.4 Typical E 0.35 0.48 J Collector Current Capability ICM =-200mA. D G 1.80 2.00 G H 0.02 0.1 Low Voltage(Max -40V). J 0.1 Typi

 ..2. Size:355K  willas
mmbt3906lt1.pdfpdf_icon

MMBT3906LT1

FM120-M WILLAS THRU MMBT3906LT1 General Purpose BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H PNP Silicon Low profile surface mounted application in order to

 ..3. Size:813K  shenzhen
mmbt3906lt1.pdfpdf_icon

MMBT3906LT1

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3906LT1 TRANSISTOR ( PNP) FEATURES As complementary type, the NPN transistor MMBT3904LT1 is Recommended Epitaxial planar die construction MARKING 2A MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collecto

 0.1. Size:120K  onsemi
mmbt3906lt1-d.pdfpdf_icon

MMBT3906LT1

MMBT3906LT1G General Purpose Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc 2 Collector-Base Voltage VCBO -40 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -200 mAdc

Другие транзисторы... MMBT3903 , MMBT3903R , MMBT3904 , MMBT3904LT1 , MMBT3904R , MMBT3905 , MMBT3905R , MMBT3906 , 13007 , MMBT3906R , MMBT3962 , MMBT404 , MMBT404A , MMBT4121 , MMBT4122 , MMBT4123 , MMBT4124 .

 

 
Back to Top

 


 
.