Биполярный транзистор MMBT5088 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBT5088
Маркировка: 1Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO236
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MMBT5088 Datasheet (PDF)
mmbt5088 mmbt5089.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT5088LT1/DMMBT5088LT1Low Noise Transistors*MMBT5089LT1COLLECTORNPN Silicon3*Motorola Preferred Device1BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol 5088LT1 5089LT1 Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 30 25 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 35 30 VdcSOT23 (TO236A
2n5088 mmbt5088 2n5089 mmbt5089.pdf

2N5088 MMBT50882N5089 MMBT5089CEC TO-92BBSOT-23EMark: 1Q / 1RNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for low noise, high gain, general purposeamplifier applications at collector currents from 1A to 50 mA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 2N5088 30 V2N5089 25 VVCBO
mmbt5088.pdf

SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT5088 (KMBT5088)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=30V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage V
nsvmmbt5088lt3g.pdf

MMBT5088L, MMBT5089LLow Noise TransistorsNPN SiliconFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringhttp://onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23 (TO-236)CASE 318MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value Unit
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2SC3436 | 2N5862 | KRC663U | 2SC765 | NKT108 | DTC123JEB | 2SB443A
History: 2SC3436 | 2N5862 | KRC663U | 2SC765 | NKT108 | DTC123JEB | 2SB443A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110