MMBT5088 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMBT5088
Маркировка: 1Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для MMBT5088
MMBT5088 - технические параметры
mmbt5088 mmbt5089.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT5088LT1/D MMBT5088LT1 Low Noise Transistors * MMBT5089LT1 COLLECTOR NPN Silicon 3 *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol 5088LT1 5089LT1 Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 30 25 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 35 30 Vdc SOT 23 (TO 236A
2n5088 mmbt5088 2n5089 mmbt5089.pdf
2N5088 MMBT5088 2N5089 MMBT5089 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 1Q / 1R NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1 A to 50 mA. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 2N5088 30 V 2N5089 25 V VCBO
mmbt5088.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors MMBT5088 (KMBT5088) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=30V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage V
nsvmmbt5088lt3g.pdf
MMBT5088L, MMBT5089L Low Noise Transistors NPN Silicon Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring http //onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* SOT-23 (TO-236) CASE 318 MAXIMUM RATINGS STYLE 6 Rating Symbol Value Unit
Другие транзисторы... MMBT4403LT1 , MMBT4888 , MMBT4889 , MMBT4890 , MMBT4916 , MMBT4917 , MMBT4964 , MMBT4965 , 9014 , MMBT5089 , MMBT5127 , MMBT5128 , MMBT5129 , MMBT5130 , MMBT5131 , MMBT5132 , MMBT5133 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110









