Биполярный транзистор MMBT6427LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT6427LT1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.35 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50000
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для MMBT6427LT1
MMBT6427LT1 Datasheet (PDF)
mmbt6427lt1g.pdf
MMBT6427LT1G,SMMBT6427LT1GDarlington TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23 (TO-236)CASE 318STYLE 6MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Un
mmbt6427.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT6427LT1/DDarlington TransistorMMBT6427LT1NPN SiliconMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR 3BASE13EMITTER 21MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 40 VdcEmitterBase Voltage VEBO 12
2n6427 mmbt6427.pdf
2N6427 MMBT6427CEC TO-92BBSOT-23EMark: 1VNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced fromProcess 05. See MPSA14 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collect
mmbt6427.pdf
MMBT6427COLLECTOR 3Darlington AmplifierTransistorsNPN* We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.BASE1P b Lead(Pb)-FreeEMITTER 2MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol V alue UnitCollectorEmitter Voltage V CEO 40 Vdc12CollectorBase Voltage V CBO 40 VdcEmitterBase Voltage V EBO 12 VdcSOT-23Collector Current Continuous I C 5
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
