Справочник транзисторов. MMBT6427LT1

 

Биполярный транзистор MMBT6427LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MMBT6427LT1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.35 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50000
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для MMBT6427LT1

 

 

MMBT6427LT1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:120K  onsemi
mmbt6427lt1g.pdf

MMBT6427LT1 MMBT6427LT1

MMBT6427LT1G,SMMBT6427LT1GDarlington TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23 (TO-236)CASE 318STYLE 6MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Un

 6.1. Size:249K  motorola
mmbt6427.pdf

MMBT6427LT1 MMBT6427LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT6427LT1/DDarlington TransistorMMBT6427LT1NPN SiliconMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR 3BASE13EMITTER 21MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 40 VdcEmitterBase Voltage VEBO 12

 6.2. Size:706K  fairchild semi
2n6427 mmbt6427.pdf

MMBT6427LT1 MMBT6427LT1

2N6427 MMBT6427CEC TO-92BBSOT-23EMark: 1VNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced fromProcess 05. See MPSA14 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collect

 6.3. Size:242K  wietron
mmbt6427.pdf

MMBT6427LT1 MMBT6427LT1

MMBT6427COLLECTOR 3Darlington AmplifierTransistorsNPN* We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.BASE1P b Lead(Pb)-FreeEMITTER 2MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol V alue UnitCollectorEmitter Voltage V CEO 40 Vdc12CollectorBase Voltage V CBO 40 VdcEmitterBase Voltage V EBO 12 VdcSOT-23Collector Current Continuous I C 5

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top