Справочник транзисторов. MMBTA20

 

Биполярный транзистор MMBTA20 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTA20
   Маркировка: 1C_3J
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT23
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA20 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:413K  motorola
mmbta20l.pdfpdf_icon

MMBTA20

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA20LT1/DGeneral Purpose AmplifierMMBTA20LT1NPN SiliconCOLLECTOR313BASE122EMITTERCASE 31808, STYLE 6MAXIMUM RATINGSSOT23 (TO236AB)Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdcTHERMAL C

 0.2. Size:107K  onsemi
mmbta20lt1.pdfpdf_icon

MMBTA20

MMBTA20LT1General Purpose AmplifierNPN SiliconFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.comCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc1BASEEmitter-Base Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current - Continuous IC 100 mAdc2THERMAL CHARACTERISTICSEMITTERCharacteristic Symbol Max UnitTotal Device Dissipation FR-5

 8.1. Size:870K  fairchild semi
mmbta28.pdfpdf_icon

MMBTA20

MPSA28 MMBTA28 PZTA28CCEECBTO-92CBSuperSOT-3BSOT-223EMark: 3SSNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 500 mA. Sourcedfrom Process 03.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Colle

 8.2. Size:628K  fairchild semi
mpsa28 mmbta28 pzta28.pdfpdf_icon

MMBTA20

MPSA28 MMBTA28 PZTA28CCEECBTO-92CBSuperSOT-3BSOT-223EMark: 3SSNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 500 mA. Sourcedfrom Process 03.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Colle

Другие транзисторы... MMBTA05LT1 , MMBTA06 , MMBTA06LT1 , MMBTA12 , MMBTA13 , MMBTA13LT1 , MMBTA14 , MMBTA14LT1 , A1941 , MMBTA20LT1 , MMBTA28 , MMBTA42 , MMBTA42LT1 , MMBTA43 , MMBTA43LT1 , MMBTA55 , MMBTA55LT1 .

History: 2SD1083 | 2SD1602

 

 
Back to Top

 


 
.