Справочник транзисторов. MN49

 

Биполярный транзистор MN49 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MN49
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для MN49

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MN49 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:84K  philips
 pmn49en.pdf pdf_icon

MN49

PMN49ENN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 13 April 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching1.3 Applications Battery management High-speed switching1.4 Quick reference data

 0.2. Size:158K  m-mos
 mmn4942dy.pdf pdf_icon

MN49

MMN4942DYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited40V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 40VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7.4A = 21mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.4A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2

 0.3. Size:158K  m-mos
 mmn4946bey.pdf pdf_icon

MN49

MMN4946BEYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited60V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.3A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.7A = 52mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2 Top View N

Другие транзисторы... MN21 , MN24 , MN25 , MN26 , MN28 , MN29 , MN32 , MN48 , BC546 , MO810 , MO816 , MO818 , MO870 , MP10 , MP101 , MP101A , MP101B .

 

 
Back to Top

 


 
.