Справочник транзисторов. 2N450

 

Биполярный транзистор 2N450 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N450

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.125 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора: TO5

Аналоги (замена) для 2N450

 

 

2N450 Datasheet (PDF)

1.1. ixtf02n450.pdf Size:154K _ixys

2N450
2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTF02N450 Power MOSFET ID25 = 200mA ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 750Ω ≤ Ω ≤ Ω (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 2 Isolated Tab VDSS TJ = 25°C to 150°C 4500 V 5 VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 4500 V VGSS Continuous ±20 V 1 = Ga

1.2. ixtl2n450.pdf Size:132K _ixys

2N450
2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTL2N450 Power MOSFET ID25 = 2A ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 23Ω ≤ Ω ≤ Ω D D D D O D O (Electrically Isolated Tab) RGi w G O w ISOPLUS i5-PakTM N-Channel Enhancement Mode O S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25°C to 150°C 4500 V S Isolated Tab VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 4500 V

 1.3. ixth02n450hv.pdf Size:208K _ixys

2N450
2N450

High Voltage VDSS = 4500V IXTT02N450HV Power MOSFET ID25 = 200mA IXTH02N450HV   RDS(on)    625     TO-268HV (IXTT) N-Channel Enhancement Mode G S D (Tab) TO-247HV (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 4500 V VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient

1.4. ixta02n450hv ixtt02n450hv.pdf Size:201K _ixys

2N450
2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTA02N450HV Power MOSFETs ID25 = 200mA IXTT02N450HV ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 750Ω ≤ Ω ≤ Ω N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 4500 V TO-268 (IXTT) VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 4500 V VGSS Continuous ±20 V G VGSM Trans

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top