2N450 - описание и поиск аналогов

 

2N450 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N450
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.125 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N450

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N450 - технические параметры

 0.1. Size:201K  ixys
 ixta02n450hv ixtt02n450hv.pdf pdf_icon

2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTA02N450HV Power MOSFETs ID25 = 200mA IXTT02N450HV RDS(on) 750 N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V TO-268 (IXTT) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V G VGSM Trans

 0.2. Size:132K  ixys
 ixtl2n450.pdf pdf_icon

2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTL2N450 Power MOSFET ID25 = 2A RDS(on) 23 D D D D O D O (Electrically Isolated Tab) RGi w G O w ISOPLUS i5-PakTM N-Channel Enhancement Mode O S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V S Isolated Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V

 0.3. Size:208K  ixys
 ixth02n450hv.pdf pdf_icon

2N450

High Voltage VDSS = 4500V IXTT02N450HV Power MOSFET ID25 = 200mA IXTH02N450HV RDS(on) 625 TO-268HV (IXTT) N-Channel Enhancement Mode G S D (Tab) TO-247HV (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient

 0.4. Size:154K  ixys
 ixtf02n450.pdf pdf_icon

2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTF02N450 Power MOSFET ID25 = 200mA RDS(on) 750 (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 2 Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V 5 VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V 1 = Ga

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N446A , 2N447 , 2N447A , 2N447B , 2N448 , 2N449 , 2N44A , 2N45 , TIP32C , 2N451 , 2N452 , 2N453 , 2N454 , 2N456 , 2N456A , 2N456B , 2N457 .

 

 
Back to Top

 


 
.