2N457A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N457A  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N457A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N457A даташит

 9.1. Size:317K  rca
 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf pdf_icon

2N457A

 9.2. Size:182K  inchange semiconductor
 2n4576.pdf pdf_icon

2N457A

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage The device employs the popular JEDEC TO-3 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High voltage high current power transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

Другие транзисторы: 2N452, 2N453, 2N454, 2N456, 2N456A, 2N456B, 2N457, 2N4576, BD678, 2N457B, 2N458, 2N458A, 2N458B, 2N459, 2N459A, 2N45A, 2N46