Справочник транзисторов. MPSH11

 

Биполярный транзистор MPSH11 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MPSH11
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для MPSH11

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPSH11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  motorola
mpsh10 mpsh11.pdfpdf_icon

MPSH11

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSH10/DVHF/UHF TransistorsMPSH10NPN SiliconMPSH11COLLECTOR3Motorola Preferred Devices1BASE2EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 2CollectorEmitter Voltage VCEO 25 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 Vd

 ..2. Size:123K  fairchild semi
mpsh11 mmbth11.pdfpdf_icon

MPSH11

MPSH11 MMBTH11CETO-92CEBBSOT-23Mark: 3GNPN RF TransistorThis device is designed for common-emitter low noise amplifierand mixer applications with collector currents in the 100 A to10 mA range to 300 MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels fordriving FET mixers. Sourced from Process 47.Absolute Maximum Ratings

 9.1. Size:76K  motorola
mpsh17re.pdfpdf_icon

MPSH11

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSH17/DCATV TransistorNPN SiliconMPSH17COLLECTOR3Motorola Preferred Device1BASE2EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 2CollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 20 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcTotal Devi

 9.2. Size:738K  fairchild semi
mmbth10 mpsh10.pdfpdf_icon

MPSH11

MPSH10 MMBTH10CEC TO-92EBBSOT-23Mark: 3ENPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers,with collector currents in the 100 A to 20 mA range in commonemitter or common base mode of operations, and in low frequencydrift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedS

Другие транзисторы... MPSD56 , MPSDO6 , MPSH02 , MPSH04 , MPSH05 , MPSH07 , MPSH08 , MPSH10 , 2SC2482 , MPSH17 , MPSH19 , MPSH20 , MPSH24 , MPSH30 , MPSH31 , MPSH32 , MPSH33 .

 

 
Back to Top

 


 
.