MRF223 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF223

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для MRF223

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF223 даташит

 9.1. Size:82K  motorola
 mrf224.pdf pdf_icon

MRF223

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF224/D The RF Line NPN Silicon MRF224 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt VHF large signal power amplifier applications required in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W 40 W, 175 MHz Power Gain = 4.5 dB M

 9.2. Size:82K  motorola
 mrf224re.pdf pdf_icon

MRF223

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF224/D The RF Line NPN Silicon MRF224 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt VHF large signal power amplifier applications required in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W 40 W, 175 MHz Power Gain = 4.5 dB M

Другие транзисторы: MRF207, MRF208, MRF209, MRF212, MRF215, MRF216, MRF221, MRF222, 2SA1015, MRF224, MRF225, MRF226, MRF227, MRF229, MRF230, MRF231, MRF232