MRF306 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF306

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 146 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для MRF306

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF306 даташит

 9.1. Size:93K  motorola
 mrf3094r.pdf pdf_icon

MRF306

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3094/D The RF Line MRF3094 Microwave Linear MRF3095 Power Transistors MRF3096 Designed for Class A, common emitter linear power amplifiers. Specified 20 Volt, 1.6 GHz Characteristics Output Power 0.5, 0.8, 1.6 Watts Gain 9.0 12 dB 9.0 12 dB 1.55 1.65 GHz Low Parasitic Microwave Stripline Packag

 9.2. Size:106K  motorola
 mrf3010.pdf pdf_icon

MRF306

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3010/D The RF MOSFET Line MRF3010 RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Lateral 10 W, 1.6 GHz, 28 V MOSFET LATERAL N CHANNEL BROADBAND Designed for IMARSAT satellite up link at 1.6 to 1.64 GHz, 28 volts, Class AB, RF POWER MOSFET CW amplifier applications. D Guaranteed Performance @

 9.3. Size:106K  motorola
 mrf3010rev1.pdf pdf_icon

MRF306

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3010/D The RF MOSFET Line MRF3010 RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Lateral 10 W, 1.6 GHz, 28 V MOSFET LATERAL N CHANNEL BROADBAND Designed for IMARSAT satellite up link at 1.6 to 1.64 GHz, 28 volts, Class AB, RF POWER MOSFET CW amplifier applications. D Guaranteed Performance @

 9.4. Size:65K  motorola
 mrf3094rev8.pdf pdf_icon

MRF306

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF3094/D The RF Line Microwave Linear MRF3094 Power Transistors MRF3095 Designed for Class A, common emitter linear power amplifiers. Specified 20 Volt, 1.6 GHz Characteristics Output Power 0.5, 0.8, 1.6 Watts Gain 9.0 12 dB 9.0 12 dB 1.55 1.65 GHz Low Parasitic Microwave Stripline Package 0.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF234, MRF237, MRF238, MRF243, MRF244, MRF245, MRF304, MRF305, A42, MRF309, MRF313, MRF314, MRF315, MRF316, MRF317, MRF321, MRF323