MRF306 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MRF306 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MRF306
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 146 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO128

Аналоги (замена) для MRF306

MRF306 Datasheet (PDF)

9.1. Size:93K motorola
mrf3094r.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF3094/DThe RF LineMRF3094Microwave LinearMRF3095Power TransistorsMRF3096Designed for Class A, common emitter linear power amplifiers. Specified 20 Volt, 1.6 GHz CharacteristicsOutput Power 0.5, 0.8, 1.6 WattsGain 9.012 dB9.012 dB1.551.65 GHz Low Parasitic Microwave Stripline Packag

9.2. Size:106K motorola
mrf3010.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF3010/DThe RF MOSFET LineMRF3010RF PowerField Effect TransistorNChannel EnhancementMode Lateral10 W, 1.6 GHz, 28 VMOSFETLATERAL NCHANNELBROADBAND Designed for IMARSAT satellite up link at 1.6 to 1.64 GHz, 28 volts, Class AB,RF POWER MOSFETCW amplifier applications.D Guaranteed Performance @

9.3. Size:106K motorola
mrf3010rev1.pdf

9.4. Size:65K motorola
mrf3094rev8.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF3094/DThe RF LineMicrowave LinearMRF3094Power TransistorsMRF3095Designed for Class A, common emitter linear power amplifiers. Specified 20 Volt, 1.6 GHz CharacteristicsOutput Power 0.5, 0.8, 1.6 WattsGain 9.012 dB9.012 dB1.551.65 GHz Low Parasitic Microwave Stripline Package0.5

9.5. Size:93K motorola
mrf3094 mrf3095 mrf3096.pdf