MRF331 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF331

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: X54D

 Аналоги (замена) для MRF331

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF331 даташит

 9.1. Size:132K  motorola
 mrf338rev2.pdf pdf_icon

MRF331

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF338/D The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor MRF338 Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 400 to 512 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 470 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts Minimum Gain = 7.3 dB Efficiency = 50% (Min) 80 W, 400 to 512 MHz CONTR

 9.2. Size:132K  motorola
 mrf338.pdf pdf_icon

MRF331

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF338/D The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor MRF338 Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 400 to 512 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 470 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts Minimum Gain = 7.3 dB Efficiency = 50% (Min) 80 W, 400 to 512 MHz CONTR

Другие транзисторы: MRF316, MRF317, MRF321, MRF323, MRF325, MRF326, MRF327, MRF328, C1815, MRF340, MRF342, MRF3866R2, MRF401, MRF402, MRF404, MRF406, MRF420