Биполярный транзистор MRF331 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF331
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Корпус транзистора: X54D
MRF331 Datasheet (PDF)
mrf338rev2.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF338/DThe RF LineNPN Silicon RF Power TransistorMRF338Designed primarily for wideband largesignal output and driver amplifierstages in the 400 to 512 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 470 MHz CharacteristicsOutput Power = 80 WattsMinimum Gain = 7.3 dBEfficiency = 50% (Min) 80 W, 400 to 512 MHzCONTR
mrf338.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF338/DThe RF LineNPN Silicon RF Power TransistorMRF338Designed primarily for wideband largesignal output and driver amplifierstages in the 400 to 512 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 470 MHz CharacteristicsOutput Power = 80 WattsMinimum Gain = 7.3 dBEfficiency = 50% (Min) 80 W, 400 to 512 MHzCONTR
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
