Справочник транзисторов. MRF454

 

Биполярный транзистор MRF454 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF454
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: M174
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF454 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  motorola
mrf454.pdfpdf_icon

MRF454

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF454/DThe RF LineNPN SiliconMRF454RF Power TransistorDesigned for power amplifier applications in industrial, commercial andamateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts80 W, 30 MHzMinimum Gain = 12 dBRF POWEREfficiency = 50%TRANSISTORNPN S

 ..2. Size:114K  macom
mrf454.pdfpdf_icon

MRF454

MRF454 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 80W, 30MHz, 12.5V Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and Product Image amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 V, 30 MHz characteristics Output power = 80 W Minimum gain = 12 dB Efficiency = 50% CASE 21111, STYLE 1 1 ADV

 0.1. Size:70K  motorola
mrf454re.pdfpdf_icon

MRF454

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF454/DThe RF LineNPN SiliconMRF454RF Power TransistorDesigned for power amplifier applications in industrial, commercial andamateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts80 W, 30 MHzMinimum Gain = 12 dBRF POWEREfficiency = 50%TRANSISTORNPN S

 0.2. Size:57K  motorola
mrf454rev1.pdfpdf_icon

MRF454

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF454/DThe RF LineNPN SiliconMRF454RF Power TransistorDesigned for power amplifier applications in industrial, commercial andamateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts80 W, 30 MHzMinimum Gain = 12 dBRF POWEREfficiency = 50%TRANSISTORNPN S

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD433-10 | BFG520-X | 2SC945LT1 | HSBD175 | MPS5308 | HSE455

 

 
Back to Top

 


 
.