MRF501 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MRF501 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MRF501
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO72

Аналоги (замена) для MRF501

MRF501 Datasheet (PDF)

0.1. Size:154K motorola
mrf5015rev6d.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5015/DThe RF MOSFET LineRF Power Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode MRF5015Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen-cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this devicemakes it ideal for largesignal, common source amplifier applications in 12.5

0.2. Size:138K motorola
mrf5015.pdf