Справочник транзисторов. MRF835

 

Биполярный транзистор MRF835 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF835
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO128
 

 Аналог (замена) для MRF835

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF835 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:101K  motorola
 mrf8372r1 mrf8372r2.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS

 9.2. Size:181K  motorola
 mrf837.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)

 9.3. Size:181K  motorola
 mrf837re.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)

 9.4. Size:101K  motorola
 mrf8372rev0.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF648 , MRF8003 , MRF8004 , MRF817 , MRF818 , MRF823 , MRF824 , MRF825 , 2SD669 , MRF840 , MRF842 , MRF844 , MRF846 , MRF901 , MRF9011LT1 , MRF901LT1 , MRF902 .

History: KTA1705 | SRC1201U | 2SC3199

 

 
Back to Top

 


 
.