MRF835 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF835

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для MRF835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF835 даташит

 9.1. Size:101K  motorola
 mrf8372r1 mrf8372r2.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF8372/D The RF Line NPN Silicon MRF8372R1, R2 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSIS

 9.2. Size:181K  motorola
 mrf837.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF837/D The RF Line NPN Silicon MRF837 RF Low Power Transistor MRF8372, R1, R2 Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ)

 9.3. Size:181K  motorola
 mrf837re.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF837/D The RF Line NPN Silicon MRF837 RF Low Power Transistor MRF8372, R1, R2 Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ)

 9.4. Size:101K  motorola
 mrf8372rev0.pdf pdf_icon

MRF835

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF8372/D The RF Line NPN Silicon MRF8372R1, R2 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSIS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF648, MRF8003, MRF8004, MRF817, MRF818, MRF823, MRF824, MRF825, TIP2955, MRF840, MRF842, MRF844, MRF846, MRF901, MRF9011LT1, MRF901LT1, MRF902