Биполярный транзистор MRF835 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF835
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO128
Аналог (замена) для MRF835
MRF835 Datasheet (PDF)
mrf8372r1 mrf8372r2.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS
mrf837.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)
mrf837re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)
mrf8372rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS
Другие транзисторы... MRF648 , MRF8003 , MRF8004 , MRF817 , MRF818 , MRF823 , MRF824 , MRF825 , 2SD669 , MRF840 , MRF842 , MRF844 , MRF846 , MRF901 , MRF9011LT1 , MRF901LT1 , MRF902 .
History: KTA1705 | SRC1201U | 2SC3199
History: KTA1705 | SRC1201U | 2SC3199



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667