MTC35-300 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTC35-300  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 325 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MTC35-300

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MTC35-300 даташит

 9.1. Size:408K  cystek
 mtc3585g6.pdf pdf_icon

MTC35-300

Spec. No. C416G6 Issued Date 2007.07.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.13 Page No. 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC3585G6 BVDSS 20V -20V ID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) Features Simple drive requirement

 9.2. Size:403K  cystek
 mtc3585n6.pdf pdf_icon

MTC35-300

Spec. No. C416G6 Issued Date 2007.07.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CH MTC3585N6 BVDSS 20V -20V ID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) Description The MTC3585N6 consist

 9.3. Size:431K  cystek
 mtc3586dfa6.pdf pdf_icon

MTC35-300

Spec. No. C835DFA6 Issued Date 2013.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.30 Page No. 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC3586DFA6 BVDSS 20V -20V ID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) Description 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) The MTC3586DFA6 consis

 9.4. Size:498K  cystek
 mtc3588n6.pdf pdf_icon

MTC35-300

Spec. No. C102N6 Issued Date 2015.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2017.03.30 Page No. 1/12 N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTC3588N6 BVDSS 14V -14V ID @ TA=25 C 5.4A(VGS=4.5V) -3.6A(VGS=-4.5 V) 17.6m (VGS=4.5V) 45.1m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 24.7m (VGS=2.5V) 65.6m (VGS=-2.5V) Features Simple drive requirement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MT4103, MT4104, MT6001, MT6002, MT6003, MT9001, MT9002, MT9003, B772, MUN2211LT1, MUN2211LT2, MUN2212LT1, MUN2212LT2, MUN2213LT1, MUN2213LT2, MUN2214LT1, MUN2214LT2