Биполярный транзистор MTC35-300 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MTC35-300
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 325 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для MTC35-300
MTC35-300 Datasheet (PDF)
mtc3585g6.pdf
Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.13 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3585G6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Features Simple drive requirement
mtc3585n6.pdf
Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.09.06 Page No. : 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC3585N6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Description The MTC3585N6 consist
mtc3586dfa6.pdf
Spec. No. : C835DFA6 Issued Date : 2013.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3586DFA6 BVDSS 20V -20VID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)Description 82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)The MTC3586DFA6 consis
mtc3588n6.pdf
Spec. No. : C102N6 Issued Date : 2015.08.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2017.03.30 Page No. : 1/12 N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTC3588N6 BVDSS 14V -14VID @ TA=25 C 5.4A(VGS=4.5V) -3.6A(VGS=-4.5 V) 17.6m(VGS=4.5V) 45.1m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 24.7m(VGS=2.5V) 65.6m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requirement
mtc3588bdfa6.pdf
Spec. No. : C102DFA6 Issued Date : 2015.12.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.05.03 Page No. : 1/13 N- And P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3588BDFA6 14V -14VBVDSS 6A(VGS=4.5V) -4A(VGS=-4.5 V) ID 16.6m(VGS=4.5V) 43m(VGS=-4.5V) 23.7m(VGS=2.5V) 63.6m(VGS=-2.5V) RDSON(TYP.) 38.5m(VGS=1.8V) 86.5m(VGS=-1.8V) 66.3m(VGS=1.5V) 15
mtc3586bdfa6.pdf
Spec. No. : C835DFA6 Issued Date : 2015.11.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2018.05.03 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3586BDFA6 BVDSS 20V -20VID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)Description 82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)The MTC3586BDFA6 cons
mtc3587dl8.pdf
Spec. No. : C093L8 Issued Date : 2016.09.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2017.09.29 Page No. : 1/13 N- and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTC3587DL8 N-CH P-CHBVDSS 20V -20V 4.9A(VGS=4.5V) -3.9A(VGS=-4.5 V) ID @ TA=25C Features 32m(VGS=4.5V) 50m(VGS=-4.5V) Simple drive requirement RDSON(TYP.) 43m(VGS=2.5V) 62m(VGS=-2.5V) Low gat
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050