NB021ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB021ET  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB021ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB021ET даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB014HV, NB014HY, NB014HZ, NB021E, NB021EI, NB021EJ, NB021EK, NB021EL, TIP142, NB021EU, NB021EV, NB021EY, NB021EZ, NB021F, NB021FI, NB021FJ, NB021FK