Справочник транзисторов. 2N4950

 

Биполярный транзистор 2N4950 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N4950
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO114
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N4950 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:60K  fairchild semi
 2n4953.pdf pdf_icon

2N4950

2N4953NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO C

 9.2. Size:43K  semicoa
 2n4957.pdf pdf_icon

2N4950

Data Sheet No. 2N4957Generic Part Number:Type 2N49572N4957Geometry 0006Polarity PNPREF: MIL-PRF-19500/426Qual Level: JAN - JANSFeatures: Small signal RF silicon transistordesigned for high-gain, low-noiseapplications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form usingthe 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/426

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N4950

Другие транзисторы... 2N4940 , 2N4941 , 2N4942 , 2N4943 , 2N4944 , 2N4945 , 2N4946 , 2N495 , 2N2222A , 2N4951 , 2N495-18 , 2N4952 , 2N4953 , 2N4954 , 2N4955 , 2N4955-78 , 2N4956 .

History: 2N3773T3BL | 2N1322 | ME0401 | BC183K | 2N3676 | BC183CP | 2N5606

 

 
Back to Top

 


 
.