2N4950 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4950  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO114

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 2N4950

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N4950 datasheet

 9.1. Size:60K  fairchild semi
 2n4953.pdf pdf_icon

2N4950

2N4953 NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO C

 9.2. Size:43K  semicoa
 2n4957.pdf pdf_icon

2N4950

Data Sheet No. 2N4957 Generic Part Number Type 2N4957 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP REF MIL-PRF-19500/426 Qual Level JAN - JANS Features Small signal RF silicon transistor designed for high-gain, low-noise applications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form using the 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/426

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N4950

Otros transistores... 2N4940, 2N4941, 2N4942, 2N4943, 2N4944, 2N4945, 2N4946, 2N495, 2N2222A, 2N4951, 2N495-18, 2N4952, 2N4953, 2N4954, 2N4955, 2N4955-78, 2N4956