Биполярный транзистор 2N502 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N502
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 9
Корпус транзистора: TO9
2N502 Datasheet (PDF)
0.1. Size:73K central
2n5022 2n5023.pdf
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
0.2. Size:89K interfet
2n5020 2n5021.pdf
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
Другие транзисторы... 2N5012 , 2N5013 , 2N5014 , 2N5015 , 2N5015S , 2N5016 , 2N5017 , 2N501A , TIP42C , 2N5022 , 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , 2N5025 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050