2N502 - описание и поиск аналогов

 

2N502. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N502

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9

Корпус транзистора: TO9

 Аналоги (замена) для 2N502

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N502 даташит

 0.1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N502

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.2. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N502

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

Другие транзисторы: 2N5012, 2N5013, 2N5014, 2N5015, 2N5015S, 2N5016, 2N5017, 2N501A, 2SA1943, 2N5022, 2N5023, 2N5023S, 2N5024, 2N5025, 2N5026, 2N5027, 2N5028

 

 

 

 

↑ Back to Top
.