2N502 Todos los transistores

 

2N502 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N502
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 9
   Paquete / Cubierta: TO9

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2N502 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:73K  central
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2N502

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.2. Size:89K  interfet
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2N502

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

Otros transistores... 2N5012 , 2N5013 , 2N5014 , 2N5015 , 2N5015S , 2N5016 , 2N5017 , 2N501A , 2SA1943 , 2N5022 , 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , 2N5025 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 .

History: BF721T1

 

 
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