2N5022 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5022  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5022

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5022 даташит

 ..1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5022

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.1. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5022

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

Другие транзисторы: 2N5013, 2N5014, 2N5015, 2N5015S, 2N5016, 2N5017, 2N501A, 2N502, BD140, 2N5023, 2N5023S, 2N5024, 2N5025, 2N5026, 2N5027, 2N5028, 2N5029