Справочник транзисторов. 2N5022

 

Биполярный транзистор 2N5022 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5022

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: TO39

Аналоги (замена) для 2N5022

 

 

2N5022 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5022 2n5023.pdf Size:73K _central

2N5022

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

5.1. 2n5020 2n5021.pdf Size:89K _interfet

2N5022

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25¡C ¥ Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage – 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/°C Storage Temperature Range – 65°C to + 200°C A

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top