NS666 - описание и поиск аналогов

 

NS666. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NS666

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

 Аналоги (замена) для NS666

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NS666 даташит

 0.1. Size:412K  aosemi
aons66609.pdfpdf_icon

NS666

AONS66609 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:419K  aosemi
aons66641t.pdfpdf_icon

NS666

AONS66641T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 325A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.3. Size:377K  aosemi
aons66612.pdfpdf_icon

NS666

AONS66612 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.4. Size:411K  aosemi
aons66620.pdfpdf_icon

NS666

AONS66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие транзисторы... NS4234 , NS475 , NS479 , NS6063 , NS6065 , NS6207 , NS662 , NS664 , 8050 , NS668 , NS731A , NS733 , NS9731 , NSD102 , NSD103 , NSD104 , NSD105 .

History: TT2190LS | 2SC484R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.