Справочник транзисторов. NS666

 

Биполярный транзистор NS666 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NS666
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
 

 Аналог (замена) для NS666

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NS666 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:412K  aosemi
aons66609.pdfpdf_icon

NS666

AONS66609TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:419K  aosemi
aons66641t.pdfpdf_icon

NS666

AONS66641TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 325A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.3. Size:377K  aosemi
aons66612.pdfpdf_icon

NS666

AONS66612TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.4. Size:411K  aosemi
aons66620.pdfpdf_icon

NS666

AONS66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие транзисторы... NS4234 , NS475 , NS479 , NS6063 , NS6065 , NS6207 , NS662 , NS664 , TIP31 , NS668 , NS731A , NS733 , NS9731 , NSD102 , NSD103 , NSD104 , NSD105 .

History: 2SAB25N | 2SC4666 | BD371D-6 | 2SD2122S | 2SC4432-3 | BD938F | MMBTA44-MS

 

 
Back to Top

 


 
.