NTE2316 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTE2316  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NTE2316

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NTE2316 даташит

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 nte2393.pdf pdf_icon

NTE2316

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor NTE2393 FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: NTE20, NTE21, NTE213, NTE214, NTE215, NTE22, NTE226, NTE2315, C3198, NTE2317, NTE2332, NTE2334, NTE2335, NTE2336, NTE2338, NTE2340, NTE2341