NTE2349 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTE2349  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NTE2349

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NTE2349 даташит

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 nte2393.pdf pdf_icon

NTE2349

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor NTE2393 FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: NTE2338, NTE2340, NTE2341, NTE2342, NTE2343, NTE2344, NTE2345, NTE2346, 2SD669A, NTE2350, NTE2351, NTE2352, NTE2401, NTE2402, NTE2403, NTE2404, NTE2405