PMD12K40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMD12K40  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для PMD12K40

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD12K40 даташит

 8.1. Size:198K  inchange semiconductor
 pmd12k80.pdf pdf_icon

PMD12K40

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD12K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 80V(Min) Complement to type PMD13K80 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UN

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd12k100.pdf pdf_icon

PMD12K40

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD12K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 100V(Min) Complement to type PMD13K100 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы: PMD10K40, PMD10K60, PMD10K80, PMD11K100, PMD11K40, PMD11K60, PMD11K80, PMD12K100, D882P, PMD12K60, PMD12K80, PMD13K100, PMD13K40, PMD13K60, PMD13K80, PMD15K200, PMD1600K