PMD17K80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMD17K80  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для PMD17K80

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD17K80 даташит

 ..1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k80.pdf pdf_icon

PMD17K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -80V(Min) Complement to type PMD16K80 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER

 8.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k60.pdf pdf_icon

PMD17K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD16K60 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd17k100.pdf pdf_icon

PMD17K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD17K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -100V(Min) Complement to type PMD16K100 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAME

 9.1. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1702k.pdf pdf_icon

PMD17K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD1702K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD1602K APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PMD16K80, PMD1700K, PMD1701K, PMD1702K, PMD1703K, PMD17K100, PMD17K40, PMD17K60, BC337, PMD18K100, PMD18K40, PMD18K60, PMD18K80, PMD19K100, PMD19K200, PMD19K40, PMD19K60