PN5131 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PN5131  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PN5131

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN5131 даташит

 9.1. Size:28K  fairchild semi
 pn5134.pdf pdf_icon

PN5131

PN5134 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300mA. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VCBO Collector-Base Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 3.5 V I

 9.2. Size:293K  fairchild semi
 pn5138.pdf pdf_icon

PN5131

Discrete POWER & Signal Technologies PN5138 C TO-92 B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See PN200 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V V

Другие транзисторы: PN4916, PN4917, PN4964, PN4965, PN5127, PN5128, PN5129, PN5130, TIP142, PN5132, PN5133, PN5134, PN5135, PN5136, PN5137, PN5138, PN5139