PN918R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PN918R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для PN918R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN918R даташит

 9.1. Size:748K  fairchild semi
 pn918 mmbt918.pdf pdf_icon

PN918R

PN918 MMBT918 C E C TO-92 B B E SOT-23 Mark 3B NPN RF Transistor This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 43. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage 30 V

 9.2. Size:62K  central
 2n918 pn918.pdf pdf_icon

PN918R

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:624K  onsemi
 pn918 mmbt918.pdf pdf_icon

PN918R

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: PN750, PN751, PN753, PN834, PN835, PN901, PN911, PN918, 2N3906, PN929, PN929A, PN930, PN930A, PN930R, PO38, PO39, PT1837