SD4261F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD4261F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для SD4261F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD4261F даташит

 9.1. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd425 2sd426.pdf pdf_icon

SD4261F

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplifi

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd426.pdf pdf_icon

SD4261F

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 100W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB556 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. Recommended for high-fidelity audio freq

Другие транзисторы: SD2904AF, SD2907A, SD2907AF, SD3019F, SD3866A, SD3866AF, SD3960F, SD4261, TIP120, SD4957, SD4957F, SD5109, SD5109F, SD918, SD918F, SDM4001, SDM4002