SE8010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE8010

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO98-2

 Аналоги (замена) для SE8010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SE8010 даташит

 0.1. Size:420K  cn sino-ic
 se80100ga.pdf pdf_icon

SE8010

SE80100GA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =80V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =6.0m @V =10 DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

 9.1. Size:169K  onsemi
 kse800 kse801 kse802 kse803.pdf pdf_icon

SE8010

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 9.2. Size:536K  cn sino-ic
 se80130g.pdf pdf_icon

SE8010

 9.3. Size:471K  cn sino-ic
 se80130ga.pdf pdf_icon

SE8010

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SE6063, SE6562, SE6563, SE7005, SE7055, SE7056, SE8001, SE8002, 2SC828, SE8041, SE8042, SE8510, SE8520, SE8521, SE8541, SE8542, SE9300