2N5152. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5152
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO39
Аналоги (замена) для 2N5152
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5152 даташит
2n5151 2n5152 2n5153 2n5154.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n5152 2n5154.pdf
2N5152 2N5154 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES DESCRIPTION ! The 2N5152 and the 2N5154 are silicon expitaxial planar NPN transistors in jedec
2n5152 2n5152l 2n5154 2n5154l.pdf
NPN Power Silicon Transistor 2N5152, 2N5152L & 2N5154, 2N5154L Features Available in commercial, JAN, JANTX, JANTXV, JANS and JANSR 100K rads (Si) per MIL-PRF-19500/544 TO-5 Package 2N5152L, 2N5154L TO-39 (TO-205AD) Package 2N5152, 2N5154 Maximum Ratings (TC = +25 C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector - Emitter Voltage VCEO 80 Vdc Collector - Base V
2n5152a.pdf
2N5152A Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3
Другие транзисторы: 2N5149, 2N514A, 2N514B, 2N515, 2N5150, 2N5151, 2N5151A, 2N5151S, 2N4401, 2N5152S, 2N5152SM, 2N5153, 2N5153-220M, 2N5153S, 2N5153SM, 2N5154, 2N5154-220M
History: BC291 | 2SB1046 | 2SB120
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291







