ST41 - описание и поиск аналогов

 

ST41. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST41

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для ST41

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST41 даташит

 0.1. Size:44K  fairchild semi
kst4123.pdfpdf_icon

ST41

KST4123 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temp

 0.2. Size:44K  fairchild semi
kst4124.pdfpdf_icon

ST41

KST4124 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temp

 0.3. Size:44K  fairchild semi
kst4126.pdfpdf_icon

ST41

KST4126 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -25 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage

 0.4. Size:45K  fairchild semi
kst4125.pdfpdf_icon

ST41

KST4125 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage

Другие транзисторы: ST3906, ST40, ST400, ST401, ST4044, ST4045, ST4080, ST4081, S8550, ST410, ST411, ST414, ST4150, ST42, ST4201, ST4202, ST4203

 

 

 

 

↑ Back to Top
.