TA1575 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

TA1575 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TA1575
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: R27

 Аналоги (замена) для TA1575

 

TA1575 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:56K  kec
kta1572.pdfpdf_icon

TA1575

SEMICONDUCTOR KTA1572 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat). High Collector Current Capability IC and ICP. B D Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation. DIM MILLIMETERS A 7.20 MAX B 5.20 MAX C 0.60 MAX P D 2.50 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) DEPTH 0.2 E 1.15 MAX F 1.27 C CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT

 9.2. Size:355K  kec
kta1571s.pdfpdf_icon

TA1575

SEMICONDUCTOR KTA1571S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat). High Collector Current Capability IC and ICP. Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation. E L B L DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT 2 3 D 0.40+0.15/-0

 9.3. Size:266K  cystek
bta1576s3.pdfpdf_icon

TA1575

Spec. No. C306S3 Issued Date 2002.05.11 Revised Date 2014.01.24 CYStech Electronics Corp. Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1576S3 Description The BTA1576S3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent h linearity FE Complementary to BTC4081S3. Pb-free lead plating

 9.4. Size:253K  cystek
bta1579s3.pdfpdf_icon

TA1575

Spec. No. C307S3 Issued Date 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.09.20 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1579S3 Description The BTP1579S3 is designed for high voltage amplification application. High BVCEO, BVCEO= -160V Complementary to BTC4102S3. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O

Другие транзисторы... T2611 , T2679 , T2691 , T3000 , T3002 , T3003 , T3004 , T3005 , 13003 , TA1575B , TA1614 , TA1620A , TA1620B , TA1628 , TA1650A , TA1655B , TA1658 .

History: TN3725 | NA01EI | TA2307

 

 
Back to Top

 


 
.