Биполярный транзистор TA1575
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TA1575
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: R27
Аналоги (замена) для TA1575
TA1575
Datasheet (PDF)
9.1. Size:56K kec
kta1572.pdf SEMICONDUCTOR KTA1572TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORFEATURELow Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat).High Collector Current Capability : IC and ICP.B DHigher Efficiency Leading to Less Heat Generation.DIM MILLIMETERSA 7.20 MAXB 5.20 MAXC 0.60 MAXPD 2.50 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 ) DEPTH:0.2E 1.15 MAXF 1.27CCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
9.2. Size:355K kec
kta1571s.pdf SEMICONDUCTOR KTA1571STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORFEATURELow Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat).High Collector Current Capability : IC and ICP.Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation.EL B LDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20MAXIMUM RATING (Ta=25)B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT 23 D 0.40+0.15/-0
9.3. Size:266K cystek
bta1576s3.pdf Spec. No. : C306S3 Issued Date : 2002.05.11 Revised Date : 2014.01.24 CYStech Electronics Corp. Page No. : 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1576S3 Description The BTA1576S3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent h linearity FE Complementary to BTC4081S3. Pb-free lead plating
9.4. Size:253K cystek
bta1579s3.pdf Spec. No. : C307S3 Issued Date : 2003.06.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.09.20 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1579S3Description The BTP1579S3 is designed for high voltage amplification application. High BVCEO, BVCEO= -160V Complementary to BTC4102S3. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O
9.5. Size:181K first silicon
fta1576.pdf SEMICONDUCTORFTA1576TECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorsPNP SiliconORDERING INFORMATION3ShippingDevice PackageFTA1576AXLT1G SC-70 / SOT-323 3000/Tape & Reel1FTA1576AXLT3G SC-70 / SOT-323 10000/Tape & Reel2* X : hFE CassifiedSC-70 / SOT 323 MAXIMUM RATINGS3Rating Symbo Value UnitCOLLECTORCollectorEmitter Voltage VCEO 50 V1CollectorBase V
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.