TA1575B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TA1575B  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO40

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TA1575B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TA1575B даташит

 9.1. Size:56K  kec
 kta1572.pdf pdf_icon

TA1575B

SEMICONDUCTOR KTA1572 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat). High Collector Current Capability IC and ICP. B D Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation. DIM MILLIMETERS A 7.20 MAX B 5.20 MAX C 0.60 MAX P D 2.50 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) DEPTH 0.2 E 1.15 MAX F 1.27 C CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT

 9.2. Size:355K  kec
 kta1571s.pdf pdf_icon

TA1575B

SEMICONDUCTOR KTA1571S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat). High Collector Current Capability IC and ICP. Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation. E L B L DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT 2 3 D 0.40+0.15/-0

 9.3. Size:266K  cystek
 bta1576s3.pdf pdf_icon

TA1575B

Spec. No. C306S3 Issued Date 2002.05.11 Revised Date 2014.01.24 CYStech Electronics Corp. Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1576S3 Description The BTA1576S3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent h linearity FE Complementary to BTC4081S3. Pb-free lead plating

 9.4. Size:253K  cystek
 bta1579s3.pdf pdf_icon

TA1575B

Spec. No. C307S3 Issued Date 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.09.20 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1579S3 Description The BTP1579S3 is designed for high voltage amplification application. High BVCEO, BVCEO= -160V Complementary to BTC4102S3. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: T2679, T2691, T3000, T3002, T3003, T3004, T3005, TA1575, 2SD1047, TA1614, TA1620A, TA1620B, TA1628, TA1650A, TA1655B, TA1658, TA1659