TA1614 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TA1614  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TA1614

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TA1614 даташит

 9.1. Size:1003K  cn vbsemi
vbta161k.pdfpdf_icon

TA1614

001 VBTA161K www.VBsemi.com N-Channel 60V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 1.2 at VGS = 10 V 60 330 Low On-Resistance 2 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF SOT-523 Fast Switching Speed 25 ns SC-75 Low Input and Output Leakage TrenchFET Pow

Другие транзисторы: T2691, T3000, T3002, T3003, T3004, T3005, TA1575, TA1575B, 2SC2073, TA1620A, TA1620B, TA1628, TA1650A, TA1655B, TA1658, TA1659, TA1660