TA2512 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TA2512  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TA2512

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TA2512 даташит

 9.1. Size:146K  st
 2sta2510.pdf pdf_icon

TA2512

2STA2510 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = -100 V Complementary to 2STC2510 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC 3 2 Application 1 TO-3P Audio power amplifier Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor fo

Другие транзисторы: TA2470, TA2492, TA2493, TA2494, TA2495, TA2501, TA2510, TA2511, A1015, TA2513, TA2514, TA2551, TA2606, TA2616, TA2658, TA2714, TA2735