Справочник транзисторов. TD162-1

 

Биполярный транзистор TD162-1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TD162-1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для TD162-1

 

 

TD162-1 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  kec
 ktd1624.pdf

TD162-1 TD162-1

SEMICONDUCTOR KTD1624TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACFEATURESHAdoption of MBIT processes.GLow collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.DIM MILLIMETERSLarge current capacity and wide ASO.A 4.70 MAXD _+D B 2.50 0.20Complementary to KTB1124.K C 1.7

 9.2. Size:1380K  blue-rocket-elect
 ktd1624.pdf

TD162-1 TD162-1

KTD1624 Rev.G Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features MBIT -, KTB1124Adoption of MBIT processes, low collector-t

 9.3. Size:1562K  first silicon
 ftd1624.pdf

TD162-1 TD162-1

SEMICONDUCTORFTD1624TECHNICAL DATAVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACHGFEATURESAdoption of MBIT processes.Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed. DDKLarge current capacity and wide ASO.F FDIM MILLIMETERSComplementary to FTB1124.A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )1

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 

Back to Top