Биполярный транзистор 2N5240 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N5240
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N5240 Datasheet (PDF)
2n5240.pdf

NPN Power Silicon Transistor2N5240Features High Voltage: Vceo(sus) = 300 V (min) Wide Area of Safe Operation Designed for use in series regulators, power amplifiers, inverters, deflection circuits, switchingregulators, and high-voltage bridge amplifiers. TO-3 (TO-204AA) PackageMaximum Ratings (TA = 25 C) Ratings Symbol Value UnitsCollector - Base Voltage VCBO
2n5240.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5240 DESCRIPTION High Voltage- : VCEO(SUS)= 300V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators, power amplifiers, inverters, deflection circuits, switching regulators, and high-voltage bridge amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL
2n5246.pdf

2N5246N-Channel RF Amplifier This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where process 50is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-So
2n5245.pdf

2N5245N-Channel RF Amplifier This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where process 50is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-So
Другие транзисторы... 2N5234 , 2N5235 , 2N5236 , 2N5237 , 2N5238 , 2N5239 , 2N523A , 2N524 , 8550 , 2N5241 , 2N5242 , 2N5243 , 2N5244 , 2N5249 , 2N5249A , 2N524A , 2N525 .
History: 2N1416 | 2SA1327O | BC183CP | BC183K | NB113FI | 2N5606 | ME0401
History: 2N1416 | 2SA1327O | BC183CP | BC183K | NB113FI | 2N5606 | ME0401



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f