2N5240. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5240
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2N5240
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5240 даташит
2n5240.pdf
NPN Power Silicon Transistor 2N5240 Features High Voltage Vceo(sus) = 300 V (min) Wide Area of Safe Operation Designed for use in series regulators, power amplifiers, inverters, deflection circuits, switching regulators, and high-voltage bridge amplifiers. TO-3 (TO-204AA) Package Maximum Ratings (TA = 25 C) Ratings Symbol Value Units Collector - Base Voltage VCBO
2n5240.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5240 DESCRIPTION High Voltage- VCEO(SUS)= 300V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators, power amplifiers, inverters, deflection circuits, switching regulators, and high-voltage bridge amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL
2n5246.pdf
2N5246 N-Channel RF Amplifier This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where process 50is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-So
2n5245.pdf
2N5245 N-Channel RF Amplifier This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where process 50is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-So
Другие транзисторы: 2N5234, 2N5235, 2N5236, 2N5237, 2N5238, 2N5239, 2N523A, 2N524, S9013, 2N5241, 2N5242, 2N5243, 2N5244, 2N5249, 2N5249A, 2N524A, 2N525
History: 2SB1372 | BSR41 | 2N5241 | 2SB1346 | 2SC4637 | ZX5T3Z | 2SC3583
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f






