2N5240 - описание и поиск аналогов

 

2N5240. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5240

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N5240

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5240 даташит

 ..1. Size:168K  aeroflex
2n5240.pdfpdf_icon

2N5240

NPN Power Silicon Transistor 2N5240 Features High Voltage Vceo(sus) = 300 V (min) Wide Area of Safe Operation Designed for use in series regulators, power amplifiers, inverters, deflection circuits, switching regulators, and high-voltage bridge amplifiers. TO-3 (TO-204AA) Package Maximum Ratings (TA = 25 C) Ratings Symbol Value Units Collector - Base Voltage VCBO

 ..2. Size:39K  inchange semiconductor
2n5240.pdfpdf_icon

2N5240

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5240 DESCRIPTION High Voltage- VCEO(SUS)= 300V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators, power amplifiers, inverters, deflection circuits, switching regulators, and high-voltage bridge amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL

 9.1. Size:26K  fairchild semi
2n5246.pdfpdf_icon

2N5240

2N5246 N-Channel RF Amplifier This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where process 50is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-So

 9.2. Size:26K  fairchild semi
2n5245.pdfpdf_icon

2N5240

2N5245 N-Channel RF Amplifier This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where process 50is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-So

Другие транзисторы: 2N5234, 2N5235, 2N5236, 2N5237, 2N5238, 2N5239, 2N523A, 2N524, S9013, 2N5241, 2N5242, 2N5243, 2N5244, 2N5249, 2N5249A, 2N524A, 2N525

 

 

 

 

↑ Back to Top
.