TI888 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TI888  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TI888

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TI888 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TI813, TI814, TI815, TI876, TI884, TI885, TI886, TI887, 2222A, TI890, TI891, TI896, TI897, TI898, TI899, TI903, TI904