TK36 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги TK36. Основные параметры


   Наименование производителя: TK36
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: X18

 Аналоги (замена) для TK36

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TK36 даташит

 0.1. Size:425K  first silicon
 ftk3620.pdf pdf_icon

TK36

SEMICONDUCTOR FTK3620 TECHNICAL DATA DESCRIPTION D 1 D 2 The FTK3620 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is G 1 G 2 suitable for use as a load switch or in PWM applications. S 1 S 2 Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D 2 D 2 VDS = 30V,ID =7A 6 5 8 7 RDS(ON)

 0.2. Size:211K  first silicon
 ftk3615.pdf pdf_icon

TK36

SEMICONDUCTOR FTK3615 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTK3615 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram D D D D GENERAL FEATURES 5 8 6 7 VDS = - 30V,ID = -10A 3615 RDS(ON)

 0.3. Size:345K  first silicon
 ftk3610.pdf pdf_icon

TK36

SEMICONDUCTOR FTK3610 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTF3610 uses advanced trench G technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in S PWM applications. Schematic diagram D D D D 6 5 GENERAL FEATURES 8 7 VDS = 30V,ID =11A 3610 RDS(ON)

Другие транзисторы... TK31 , TK31D , TK33 , TK33C , TK34 , TK34C , TK35 , TK35C , 2N3906 , TK36C , TK37 , TK37C , TK38 , TK38C , TK40 , TK400A , TK401A .

 

 
Back to Top

 


 
.