Биполярный транзистор TK42
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TK42
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: X18
Аналоги (замена) для TK42
TK42
Datasheet (PDF)
0.1. Size:233K toshiba
tk42a12n1.pdf 
TK42A12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK42A12N1TK42A12N1TK42A12N1TK42A12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha
0.2. Size:245K toshiba
tk42e12n1.pdf 
TK42E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK42E12N1TK42E12N1TK42E12N1TK42E12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha
0.3. Size:711K wietron
wtk4224.pdf 
WTK4224Surface Mount Dual N-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free10 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:30 VOLTAGE*Super high dense cell design for low RDS(ON)RDS(ON)
0.4. Size:556K wietron
wtk4228.pdf 
WTK4228Surface Mount Dual N-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free6.8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:30 VOLTAGE*Super high dense cell design for low RDS(ON)RDS(ON)
0.5. Size:252K inchange semiconductor
tk42a12n1.pdf 
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK42A12N1ITK42A12N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 9.4m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
