TK46 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK46  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: X18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TK46

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TK46 даташит

 0.1. Size:249K  toshiba
 tk46e08n1.pdf pdf_icon

TK46

TK46E08N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK46E08N1 TK46E08N1 TK46E08N1 TK46E08N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.9 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V) (3) Enhan

 0.2. Size:235K  toshiba
 tk46a08n1.pdf pdf_icon

TK46

TK46A08N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK46A08N1 TK46A08N1 TK46A08N1 TK46A08N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.9 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V) (3) Enhan

 0.3. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

TK46

Preliminary Technical Information IXTK46N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET IXTX46N50L ID25 = 46 A With Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement Mode TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V G D VGS Continuous 30 V S (TAB) VGSM Transient

 0.4. Size:428K  first silicon
 ftk4604.pdf pdf_icon

TK46

SEMICONDUCTOR FTK4604 TECHNICAL DATA DESCRIPTION The FTK4604 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications. P-channel N-channel Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D 2 D 2 N-Channel 6 5 8 7 VDS = 30V,ID = 6.9A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TK40C, TK41, TK41C, TK42, TK42C, TK44C, TK45, TK45C, TIP35C, TK46C, TK47, TK47C, TK48C, TK49C, TK70, TK70A, TK71