TN3444 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: TN3444 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO237
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для TN3444
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TN3444 даташит
tn3440a.pdf
TN3440A TO-226 C B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use in horizontal driver, class A off-line amplifier and off-line switching applications. Sourced from Process 36. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 250 V VCBO Collector-Base Voltage 300 V VEBO Emitter-Base Voltage 7.0 V
mtn3440n6.pdf
Spec. No. C874N6 Issued Date 2013.07.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2017.03.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 150V MTN3440N6 ID@VGS=10V, TA=25 C 1.7A ID@VGS=10V, TA=70 C 1.4A ID@VGS=10V, TC=25 C 2.2A ID@VGS=10V, TC=70 C 1.8A Features 245m VGS=10V, ID=1.5A Simple drive requirement RDSON(TYP) 270m VGS=
stn3446.pdf
STN3446 STN3446 STN3446 STN3446 N Channel Enhancement Mode MOSFET 5.3A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION The STN3446 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited fo
Другие транзисторы: TN3402, TN3403, TN3404, TN3405, TN3414, TN3415, TN3416, TN3417, BC546, TN3467, TN3563, TN3564, TN3565, TN3566, TN3567, TN3568, TN3569
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor



