Биполярный транзистор TP4403 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: TP4403
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналог (замена) для TP4403
TP4403 Datasheet (PDF)
mtp4403sq8.pdf

Spec. No. : C804Q8 Issued Date : 2009.12.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP4403SQ8 RDSON(MAX) 46m ID -6.1ADescription The MTP4403SQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan
mtp4403q8.pdf

Spec. No. : C791Q8 Issued Date : 2010.07.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTP4403Q8 RDSON(MAX) 50m ID -6.1ADescription The MTP4403Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
stp4403.pdf

STP4403 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 10.0A DESCRIPTION STP4403 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, such as cellular phone and n
Другие транзисторы... TP4258 , TP4258A , TP4274 , TP4275 , TP4354 , TP4355 , TP4356 , TP4401 , 2SC4793 , TP4888 , TP4889 , TP4890 , TP4916 , TP4917 , TP4964 , TP4965 , TP5127 .
History: BTD965LA3 | DSA3G01 | 2SD1936
History: BTD965LA3 | DSA3G01 | 2SD1936



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a