UMA3N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMA3N  📄📄 

Маркировка: A3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMA3N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMA3N даташит

 ..1. Size:60K  rohm
 ema3 uma3n fma3a uma3n.pdf pdf_icon

UMA3N

EMA3 / UMA3N / FMA3A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA3 / UMA3N / FMA3A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA143Ts in a EMT or UMT or SMT package. EMA3 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (Built-in Each lead has same dimensions resistor

 ..2. Size:49K  rohm
 uma3n fma3a a3 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMA3N

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMA3N / FMA3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA143Ts in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon tran- sistor (Built-in resistor type) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-

 ..3. Size:396K  htsemi
 uma3n.pdf pdf_icon

UMA3N

UMA3N General purpose transistors (dual transistors) SOT-353 FEATURES Two DTA143T chips in a package Mounting cost and area be cut in half 1 Marking A3 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Symbol Parameter Limits Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Contin

Другие транзисторы: U2TG406, U2TG408, U2TG410, UC1100A, UMA10N, UMA11N, UMA1N, UMA2N, A1941, UMA4N, UMA5N, UMA6N, UMA7N, UMA8N, UMA9N, UMB10N, UMB11N