UMB10N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMB10N
Маркировка: B10
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SC-88
UMB10N Datasheet (PDF)
umb10n imb10a b10 sot23-6 sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB10N / IMB10A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP
emb10 umb10n imb10a umb10n.pdf
EMB10 / UMB10N / IMB10A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB10 / UMB10N / IMB10A Dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT EMB10 package. (6) (5) (4) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interference. Each l
umb10nfha.pdf
EMB10 / UMB10N / IMB10A EMB10FHA / UMB10NFHA / IMB10AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) -100mA (3) (3) R1 2.2kW EMB10 UMB10N EMB10FHA UMB10NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (
emb10fha umb10nfha imb10afra.pdf
EMB10 / UMB10N / IMB10A EMB10FHA / UMB10NFHA / IMB10AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) -100mA (3) (3) R1 2.2kW EMB10 UMB10N EMB10FHA UMB10NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (
Другие транзисторы... UMA2N , UMA3N , UMA4N , UMA5N , UMA6N , UMA7N , UMA8N , UMA9N , S9014 , UMB11N , UMB16N , UMB1N , UMB2N , UMB3N , UMB4N , UMB5N , UMB6N .
History: KDY24 | 2SC4226B | 3DF1B | BD386
History: KDY24 | 2SC4226B | 3DF1B | BD386
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor







