UMB10N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

UMB10N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UMB10N
   Маркировка: B10
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMB10N

 

UMB10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
umb10n imb10a b10 sot23-6 sot363.pdfpdf_icon

UMB10N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB10N / IMB10A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP

 ..2. Size:118K  rohm
emb10 umb10n imb10a umb10n.pdfpdf_icon

UMB10N

EMB10 / UMB10N / IMB10A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB10 / UMB10N / IMB10A Dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT EMB10 package. (6) (5) (4) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interference. Each l

 0.1. Size:1310K  rohm
umb10nfha.pdfpdf_icon

UMB10N

EMB10 / UMB10N / IMB10A EMB10FHA / UMB10NFHA / IMB10AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) -100mA (3) (3) R1 2.2kW EMB10 UMB10N EMB10FHA UMB10NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (

 0.2. Size:1355K  rohm
emb10fha umb10nfha imb10afra.pdfpdf_icon

UMB10N

EMB10 / UMB10N / IMB10A EMB10FHA / UMB10NFHA / IMB10AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) -100mA (3) (3) R1 2.2kW EMB10 UMB10N EMB10FHA UMB10NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (

Другие транзисторы... UMA2N , UMA3N , UMA4N , UMA5N , UMA6N , UMA7N , UMA8N , UMA9N , S9014 , UMB11N , UMB16N , UMB1N , UMB2N , UMB3N , UMB4N , UMB5N , UMB6N .

History: KDY24 | 2SC4226B | 3DF1B | BD386

 

 
Back to Top

 


 
.