UMB3N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMB3N  📄📄 

Маркировка: B3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMB3N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB3N даташит

 ..1. Size:64K  rohm
 emb3 umb3n imb3a umb3n.pdf pdf_icon

UMB3N

EMB3 / UMB3N / IMB3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB3 / UMB3N / IMB3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 EMB3 1.6 0.5 package. 1.0 0.5 0.5 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 1pin mark ( ) ( ) ( ) 1 2 3 3) Transistor elements are indep

 ..2. Size:50K  rohm
 umb3n imb3a b3 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB3N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB3N / IMB3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA143T chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Dual PNP digital transistor (each with single built in resistor) The follow

 ..3. Size:502K  htsemi
 umb3n.pdf pdf_icon

UMB3N

UMB3N General purpose transistors (dual transistors) SOT-363 FEATURES Two DTA143T chips in a package 1 Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. Marking B3 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collec

 0.1. Size:1266K  rohm
 emb3fha umb3nfha imb3afra.pdf pdf_icon

UMB3N

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: UMA7N, UMA8N, UMA9N, UMB10N, UMB11N, UMB16N, UMB1N, UMB2N, MJE340, UMB4N, UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N, UMC1N, UMC2N