UMB3N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

UMB3N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UMB3N
   Маркировка: B3
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMB3N

 

UMB3N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  rohm
emb3 umb3n imb3a umb3n.pdfpdf_icon

UMB3N

EMB3 / UMB3N / IMB3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB3 / UMB3N / IMB3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 EMB3 1.6 0.5 package. 1.0 0.5 0.5 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 1pin mark ( ) ( ) ( ) 1 2 3 3) Transistor elements are indep

 ..2. Size:50K  rohm
umb3n imb3a b3 sot363 sot23-6.pdfpdf_icon

UMB3N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB3N / IMB3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA143T chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Dual PNP digital transistor (each with single built in resistor) The follow

 ..3. Size:502K  htsemi
umb3n.pdfpdf_icon

UMB3N

UMB3N General purpose transistors (dual transistors) SOT-363 FEATURES Two DTA143T chips in a package 1 Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. Marking B3 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collec

 0.1. Size:1266K  rohm
emb3fha umb3nfha imb3afra.pdfpdf_icon

UMB3N

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

Другие транзисторы... UMA7N , UMA8N , UMA9N , UMB10N , UMB11N , UMB16N , UMB1N , UMB2N , MJE340 , UMB4N , UMB5N , UMB6N , MMUN2235LT1G , UMB8N , UMB9N , UMC1N , UMC2N .

History: CHDTC144GUGP | 2SB779 | INC5002AP1 | DCX144EH | CK150 | IR4046 | MMBTRC106SS

 

 
Back to Top

 


 
.