Справочник транзисторов. UMB8N

 

Биполярный транзистор UMB8N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: UMB8N
   Маркировка: B8
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMB8N

 

 

UMB8N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  rohm
umb8n imb8a b8 sot363 sot23-6.pdf

UMB8N

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8TransistorsTransistorsUMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8(96-448-A114T)

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top