UMB8N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMB8N  📄📄 

Маркировка: B8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMB8N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB8N даташит

 ..1. Size:48K  rohm
 umb8n imb8a b8 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB8N

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8 Transistors Transistors UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8 (96-448-A114T)

Другие транзисторы: UMB16N, UMB1N, UMB2N, UMB3N, UMB4N, UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, 2SA1837, UMB9N, UMC1N, UMC2N, UMC3N, UMC4N, UMC5N, PDTA115EEF, PDTA115EK