UMC5N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMC5N  📄📄 

Маркировка: C5

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68*30

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMC5N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMC5N даташит

 ..1. Size:106K  rohm
 umc5n.pdf pdf_icon

UMC5N

Transistors Power management (dual digital transistors) UMC5N / FMC5A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143X chip and DTC144E chip in a UMT or SMT package. 2) Ideal for power switch circuits. 3) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN/PNP silicon transistor (Built-in resistor type) FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_

 ..2. Size:107K  rohm
 umc5n fmc5a c5 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMC5N

Transistors Power management (dual digital transistors) UMC5N / FMC5A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143X chip and DTC144E chip in a UMT or SMT package. 2) Ideal for power switch circuits. 3) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN/PNP silicon transistor (Built-in resistor type) FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_

 ..3. Size:283K  diodes
 umc5n.pdf pdf_icon

UMC5N

UMC5N DUAL COMPLEMENTARY PRE-BIASED TRANSISTORS Features Epitaxial Planar Die Construction Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Simplifies Circuit Design and Reduces Board Space Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT-353 Case SOT-353 (1) (3) (2) 3 2 1 Case Material Molded Plastic. UL Flamm

 0.1. Size:158K  onsemi
 umc2nt1g umc3nt1g umc5nt1g.pdf pdf_icon

UMC5N

UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G Preferred Devices Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors http //onsemi.com NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias 31 2 Resistor Network R1 R2 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N, UMC1N, UMC2N, UMC3N, UMC4N, TIP31, PDTA115EEF, PDTA115EK, UMD10N, PDTA115ES, PDTA115TK, PDTA115TS, UMD2N, UMD3N