UMC5N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMC5N
Маркировка: C5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68*30
Корпус транзистора: SC88A SOT353
UMC5N Datasheet (PDF)
umc5n.pdf
Transistors Power management (dual digital transistors) UMC5N / FMC5A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143X chip and DTC144E chip in a UMT or SMT package. 2) Ideal for power switch circuits. 3) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN/PNP silicon transistor (Built-in resistor type) FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_
umc5n fmc5a c5 sot23-5 sot353.pdf
Transistors Power management (dual digital transistors) UMC5N / FMC5A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143X chip and DTC144E chip in a UMT or SMT package. 2) Ideal for power switch circuits. 3) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN/PNP silicon transistor (Built-in resistor type) FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_
umc5n.pdf
UMC5N DUAL COMPLEMENTARY PRE-BIASED TRANSISTORS Features Epitaxial Planar Die Construction Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Simplifies Circuit Design and Reduces Board Space Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT-353 Case SOT-353 (1) (3) (2) 3 2 1 Case Material Molded Plastic. UL Flamm
umc2nt1g umc3nt1g umc5nt1g.pdf
UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G Preferred Devices Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors http //onsemi.com NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias 31 2 Resistor Network R1 R2 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter re
Другие транзисторы... UMB6N , MMUN2235LT1G , UMB8N , UMB9N , UMC1N , UMC2N , UMC3N , UMC4N , TIP31 , PDTA115EEF , PDTA115EK , UMD10N , PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , UMD2N , UMD3N .
History: MUN5113DW | 2SC353 | MJD31CQ | KTX211E | 2SA1358-Z | 2SD1619R | RN1971
History: MUN5113DW | 2SC353 | MJD31CQ | KTX211E | 2SA1358-Z | 2SD1619R | RN1971
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722







