UMD3N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMD3N
Маркировка: D3
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMD3N Datasheet (PDF)
emd3 umd3n imd3a umd3n.pdf
EMD3 / UMD3N / IMD3A Transistors General purpose (Dual digital transistors) EMD3 / UMD3N / IMD3A Dimensions (Unit mm) Features 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a EMT EMD3 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interfer
umd3n imd3a d3 sot23-6sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD3N / IMD3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxi
umd3n.pdf
UMD3N NPN-PNP built-in resistors Elektronische Bauelemente Multi-Chip Digital Transistor SOT-363 o .055(1.40) 8 .047(1.20) 0o .026TYP (0.65TYP) 6 5 4 .021REF Features (0.525)REF .053(1.35) .096(2.45) * DTA114E and DTC114E transistors are .045(1.15) .085(2.15) built-in a SOT-363 package. * Transistor elements are independent, .018(0.46) 3 1 2 .010(0.26) elim
umd3n.pdf
UMD3N DUAL DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP) SOT-363 FEATURES DTA114E and DTC114E transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. 1 Mounting cost and area can be cut in half. External circuit MARKING D3 Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -10 40 V I
Другие транзисторы... UMC5N , PDTA115EEF , PDTA115EK , UMD10N , PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , UMD2N , TIP42 , UMD6N , PDTA123EEF , UMD9N , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N .
History: MUN5113DW | 2SC353 | MJD31CQ | KTX211E | 2SA1358-Z | 2SD1619R | RN1971
History: MUN5113DW | 2SC353 | MJD31CQ | KTX211E | 2SA1358-Z | 2SD1619R | RN1971
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor







