UMD3N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMD3N  📄📄 

Маркировка: D3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC88 SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMD3N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMD3N даташит

 ..1. Size:98K  rohm
 emd3 umd3n imd3a umd3n.pdf pdf_icon

UMD3N

EMD3 / UMD3N / IMD3A Transistors General purpose (Dual digital transistors) EMD3 / UMD3N / IMD3A Dimensions (Unit mm) Features 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a EMT EMD3 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interfer

 ..2. Size:92K  rohm
 umd3n imd3a d3 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

UMD3N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD3N / IMD3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxi

 ..3. Size:379K  secos
 umd3n.pdf pdf_icon

UMD3N

UMD3N NPN-PNP built-in resistors Elektronische Bauelemente Multi-Chip Digital Transistor SOT-363 o .055(1.40) 8 .047(1.20) 0o .026TYP (0.65TYP) 6 5 4 .021REF Features (0.525)REF .053(1.35) .096(2.45) * DTA114E and DTC114E transistors are .045(1.15) .085(2.15) built-in a SOT-363 package. * Transistor elements are independent, .018(0.46) 3 1 2 .010(0.26) elim

 ..4. Size:475K  htsemi
 umd3n.pdf pdf_icon

UMD3N

UMD3N DUAL DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP) SOT-363 FEATURES DTA114E and DTC114E transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. 1 Mounting cost and area can be cut in half. External circuit MARKING D3 Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -10 40 V I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: UMC5N, PDTA115EEF, PDTA115EK, UMD10N, PDTA115ES, PDTA115TK, PDTA115TS, UMD2N, TIP42, UMD6N, PDTA123EEF, UMD9N, UMG11N, PDTA123EK, PDTA123ES, UMG1N, UMG2N